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氢还原法制备低相变温度掺钨VO2薄膜

李敏娇 张述林 丁秀敏 罗祎 熊苗

戈文荪, 王建, 郑晓峰, 籍可镔, 宋国菊, 王军, 徐维华, 刘振京, 李华银. 攀钢转炉单层砖衬砌筑工艺[J]. 钢铁钒钛, 1997, 18(3): 14-19.
引用本文: 李敏娇, 张述林, 丁秀敏, 罗祎, 熊苗. 氢还原法制备低相变温度掺钨VO2薄膜[J]. 钢铁钒钛, 2010, 31(2): 6-9.
Ge Wensun, Wang Jian, Zheng Xiaofeng, Ji Kebin, Song Guoju, Wang Jun, Xu Weihua, Liu Zhenjing, Li Huayin. TEST ON BUILDING SINGLECOURSE-BRICK LINING TECHNOLOGY OF CONVERTERS AT PANGANG[J]. IRON STEEL VANADIUM TITANIUM, 1997, 18(3): 14-19.
Citation: Li Minjiao, Zhang Shulin, Ding Xiumin, Luo Yi, Xiong Miao. Preparation of Tungsten-doped VO2 Thin Film with Low Phase Transition Temperature by Hydrogen Reduction Method[J]. IRON STEEL VANADIUM TITANIUM, 2010, 31(2): 6-9.

氢还原法制备低相变温度掺钨VO2薄膜

基金项目: 

四川省教育厅重点科研项目(2006A167)。

详细信息
    作者简介:

    李敏娇(1965-),女,江西泰和人,副教授,主要从事应用化学研究。

  • 中图分类号: TB34

Preparation of Tungsten-doped VO2 Thin Film with Low Phase Transition Temperature by Hydrogen Reduction Method

  • 摘要: 在钒溶胶中掺入适量聚钨酸溶胶,采用浸渍提拉法在载玻片上涂膜,涂片薄膜在氢气氛围中、在400℃温度下还原3 h,制得掺钨VO2薄膜。金相显微镜观察到薄膜呈VO2的特征绿色;X荧光光谱分析得出薄膜中W、V的含量分别为3.212%和64.97%。电阻-温度曲线测试表明,VO2薄膜的相变温度为40.5℃,热滞回线宽度为ΔT=11℃,电阻突变量ΔS达到4.06个数量级。
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-03-15
  • 网络出版日期:  2023-12-05

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